日前，通過對工藝技術的創新研發和反復實驗，陜西有色光電科技有限公司太陽能電池PECVD工序取得了關鍵技術突破，研發出沉積三層氮化硅膜的最優工藝條件，電池片轉化效率提升了0.07%—0.1%，現已導入產線批量生產。

實驗結果表明，三層氮化硅薄膜的互補作用對電池片起到了很好的減反射效果，第一層氮化硅膜厚在10nm左右，折射率在2.4—2.6之間，起到了很好的鈍化作用，第二層氮化硅膜厚在30nm左右，折射率在2.0—2.2之間，第三層膜厚在45nm左右，折射率在2.0以內，三層膜系結構設計可使入射的太陽光在電池內多次折射，最大程度地增加了對光的吸收，顯著降低了電池表面的光反射，同時，在實驗的過程中將三層氮化硅薄膜沉積工藝改為間斷性沉積后，氮化硅薄膜平均等效厚度在80—85nm，等效折射率為2.08—2.15，平均反射率降低了2%，相比兩層膜的連續性沉積工藝大大提升了氮化硅膜的致密性，提高了氮化硅膜對電池片的鈍化效果，增大了電池片的開路電壓和短路電流，從而既顯著提高了電池片的轉換效率，又極大地改善了原來兩層膜工藝出現的色差問題。

光電科技公司電池事業部工藝技術研發團隊堅持高標準、嚴要求的工作理念，聚焦太陽能電池生產工藝前沿技術不懈進行科技創新，持續攻關關鍵技術，依托公司擁有的當今國際光伏行業最先進的全自動生產線，持續對電池產線各道工序進行工藝優化、技術升級，例如5主柵高效單/多晶電池片、無網結技術導入等，從而使得電池片轉換效率達到國內一流水平，各項性能指標達到業內第一，得到了國內外客戶的廣泛認可，贏得了良好口碑。

（原文鏈接：http://paper.cnmn.com.cn/Content.aspx?id=134957&q=4010&v=4，中國有色金屬報2017年9月7日4版）